隨著對(duì)更多突破性產(chǎn)品和產(chǎn)品的需求，電子設(shè)備和設(shè)備不斷發(fā)展。這種演變的核心支柱是高性能LSI芯片，它集成在各種數(shù)字設(shè)備和設(shè)備中，包括通信設(shè)備。多層陶瓷電容器支持這些高性能LSI芯片，其中大量定位為去耦LSI芯片周圍的器件，用于吸收工作期間的負(fù)載波動(dòng)并抑制噪聲。

 直到最近，噪聲對(duì)策基礎(chǔ)背后的一般思考可以表達(dá)為“降低相關(guān)線路中的阻抗?！币虼?，已考慮使用稱為ESR（等效串聯(lián)電阻）的低電阻元件的多層陶瓷電容器是一種非常適合作為抗噪聲對(duì)策的設(shè)備，并且其中包含了大量的設(shè)備。另一方面，使用不適用的情況產(chǎn)生了某種電路。由于它們的ESR太低，所以形成阻抗峰，其被稱為反共振，并且因此在峰形成的頻率處的去耦性能劣化。

為了解決這個(gè)問題，村田制作所創(chuàng)造了LLR系列，這是一系列ESR控制型低ESL陶瓷電容器，具有更高的ESR值。本文介紹了“LLR系列”。

LLR系列的特點(diǎn)：“LLR系列”的特點(diǎn)是故意高ESR值，支持從100mΩ到1000mΩ的四級(jí)電阻。（表格1）

 理想情況下，只有表示電容的ESC（等效串聯(lián)電容）才能代表電容器的電氣特性。然而，作為所用材料的電介質(zhì)中的損耗和內(nèi)部電極中的損耗產(chǎn)生稱為ESL（等效串聯(lián)電感）的線圈組件和稱為ESR的電阻組件。這就是為什么阻抗特性采用如圖1所示的波谷形狀的原因。多層陶瓷電容器的特點(diǎn)是低ESR（高Q值），但這可能會(huì)導(dǎo)致具有不同電容水平的電容器中的反諧振或LSI封裝的電容元件。為了防止這種情況，“LLR系列”具有增加電容器ESR值（降低Q值）和提供浴缸曲線形狀的阻抗特性的功能。此外，作為最小化LSI芯片的負(fù)載波動(dòng)的方法，理想的是最小化電容器的ESL值并提高充電/放電特性。然而，改變過去通?？捎玫亩鄬犹沾呻娙萜鞯膬?nèi)部電極圖案的ESR控制的問題在于同時(shí)也提高了ESL值?，F(xiàn)在，通過使用專有設(shè)計(jì)，村田制作所成功地控制了ESR值，同時(shí)將ESL值保持在原始水平。這實(shí)現(xiàn)了在寬帶中起作用的電容器性能。作為最小化LSI芯片的負(fù)載波動(dòng)的方法，理想的是最小化電容器的ESL值并提高充電/放電特性。然而，改變過去通?？捎玫亩鄬犹沾呻娙萜鞯膬?nèi)部電極圖案的ESR控制的問題在于同時(shí)也提高了ESL值。現(xiàn)在，通過使用專有設(shè)計(jì)，村田制作所成功地控制了ESR值，同時(shí)將ESL值保持在原始水平。這實(shí)現(xiàn)了在寬帶中起作用的電容器性能。作為最小化LSI芯片的負(fù)載波動(dòng)的方法，理想的是最小化電容器的ESL值并提高充電/放電特性。然而，改變過去通?？捎玫亩鄬犹沾呻娙萜鞯膬?nèi)部電極圖案的ESR控制的問題在于同時(shí)也提高了ESL值?，F(xiàn)在，通過使用專有設(shè)計(jì)，村田制作所成功地控制了ESR值，同時(shí)將ESL值保持在原始水平。這實(shí)現(xiàn)了在寬帶中起作用的電容器性能。ESR控制的問題改變了過去通?？捎玫亩鄬犹沾呻娙萜鞯膬?nèi)部電極圖案，同時(shí)也提高了ESL值?，F(xiàn)在，通過使用專有設(shè)計(jì)，村田制作所成功地控制了ESR值，同時(shí)將ESL值保持在原始水平。這實(shí)現(xiàn)了在寬帶中起作用的電容器性能。ESR控制的問題改變了過去通?？捎玫亩鄬犹沾呻娙萜鞯膬?nèi)部電極圖案，同時(shí)也提高了ESL值?，F(xiàn)在，通過使用專有設(shè)計(jì)，村田制作所成功地控制了ESR值，同時(shí)將ESL值保持在原始水平。這實(shí)現(xiàn)了在寬帶中起作用的電容器性能。

如何使用LLR電容器

（1）最小化反共振

如果電容器的ESR值過度降低，則可能導(dǎo)致反共振。下面描述LSI封裝中發(fā)生的反共振的情況。如果為此使用正常的電路配置，則在高性能LSI芯片和用作芯片電源的DC-DC轉(zhuǎn)換器之間放置各種轉(zhuǎn)換器（參見圖2）。在表示為C01（封裝在LSI封裝板上的電容器）的封裝電容器中，用作高頻區(qū)域去耦器件的大電容陶瓷電容器和電容超過100μF的鋁電解電容器表示為安裝CO 2和C03用于在低頻和中頻區(qū)域中去耦。在這種電路配置的情況下，在LSI封裝和封裝電容器（C01）之間容易感受到反共振效應(yīng)的一個(gè)地方。反共振是由LSI封裝的極低電容元件和安裝在封裝上的電容器（C01）的ESL元件產(chǎn)生的LC諧振引起的。

使這種反共振最小化的一種方法是增加LSI封裝的靜態(tài)電容，第二種方法是降低電容器的ESL值，第三種方法是增加電容器的ESR值。由于在設(shè)備設(shè)計(jì)階段選擇的組件確定的那些方面在方法1和2的情況下是最重要的，所以增加方法3中的ESR值是最簡(jiǎn)單的方法，并且這是“通過”的方法。 LLR系列。“

圖3顯示了當(dāng)安裝在LSI封裝上的所有電容器（C01）已被“LLR系列”替換時(shí)產(chǎn)生的仿真數(shù)據(jù)。這表明隨著電阻值的增加，反諧振峰值下降。在這里進(jìn)行的模擬中，峰值已減小到1/50，并且可以預(yù)期目標(biāo)頻率范圍內(nèi)的降噪。

圖2 LSI芯片安裝板上的電路配置示例

圖3電路阻抗仿真數(shù)據(jù)

（2）防止DC-DC轉(zhuǎn)換器振蕩

 在降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器的輸出側(cè)，使用電容器以最小化輸出電壓的波動(dòng)（紋波電壓波動(dòng)）。此外，在輸出側(cè)形成LC低通濾波器，以平滑從DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出的電壓（見圖4）。如果在相關(guān)位置使用低ESR多層陶瓷電容器，則會(huì)產(chǎn)生振蕩。防止這種振蕩的一種方法是增加電容器的ESR值以提供相位裕度：現(xiàn)在通過使用LLR串聯(lián)電容器來實(shí)現(xiàn)，從而克服由低ESR引起的振蕩，這是多層陶瓷電容器的弱點(diǎn)。 。結(jié)果，現(xiàn)在認(rèn)為可以擴(kuò)展電路設(shè)計(jì)階段的可能性范圍。

圖4降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器

結(jié)論

 先前對(duì)多層陶瓷電容器所要求的特性僅僅是高電容和低ESR，以使電源線和I / O線保持在低阻抗水平。然而，為了響應(yīng)設(shè)備和設(shè)備日益復(fù)雜的功能，出現(xiàn)了一個(gè)新概念：ESR控制。通過靈活地支持這些新需求，村田制作所相信多層陶瓷電容器的價(jià)值可以作為無源元件使用，從而比以往更容易使用。

 通過恰當(dāng)?shù)卮_定其LLR系列所需的性能，村田制作所打算擴(kuò)大其產(chǎn)品陣容。