測(cè)試電容器的電容會(huì)影響電容器兩側(cè)的電壓。

圖4：HBM的ESD測(cè)試電路

在測(cè)試電容器的電容（Cx）和在兩側(cè)發(fā)生的電壓（Vx）之間建立以下關(guān)系。

當(dāng)供電電壓（Vd）和充電電容器（Cd）的電容恒定時(shí)，隨著測(cè)試電容器的電容（Cx）變大，在測(cè)試電容器兩側(cè)發(fā)生的電壓（Vx）變低。

因此，通常，隨著測(cè)試電容器的電容變大，ESD電阻趨于變高。

實(shí)際上，由于耐壓的邊際性能隨著設(shè)計(jì)的差異而變化，例如電介質(zhì)的類型和厚度，該值并不總是與上述趨勢(shì)相匹配。

多層陶瓷電容器的ESD抗性

多層陶瓷電容器（GCM系列）的ESD電阻參考數(shù)據(jù)如下所示。

圖5：高介電類型電容器ESD測(cè)試結(jié)果（Vd = 25 kV是測(cè)量極限）